Управление ростом кристаллов как стохастическим процессом

Рассмотрены особенности роста кристаллов полупроводников при автоматическом управлении и искусственных воздействиях на процесс выращивания по методу Чохральского. В результате анализа современных методов математического и физического моделирования процессов роста кристаллов определены особенности использования различных моделей процессов. Определены закономерности формирования дефектов структуры монокристаллов и распределения примесей в связи с управляющими воздействиями, рассмотрены методы и алгоритмы снижения полосчатой неоднородности кристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV за счет использования специальных «низкоэнергетических воздействий», включающих направленное изменение параметров управления процессом с использованием информации обратной связи по колебаниям температуры в расплаве.