Численный анализ задач переноса заряда в полупроводниковых устройствах

В данной работе рассмотрена гидродинамическая MEP модель, описывающая процесс переноса заряда в полупроводниковых кремниевых устройствах субмикронного размера. Модель состоит из системы моментных соотношений уравнения Больцмана и уравнения Пуассона для электрического потенциала. Чтобы найти численные решения смешанной краевой задачи для уравнения Пуассона, разработан и обоснован новый вычислительный алгоритм, с помощью которого сконструированы два оригинальных эффективных подхода для поиска стационарных решений рассматриваемой модели. При использовании данных подходов созданы алгоритмы для решения нескольких прикладных задач - 1D задачи о баллистическом диоде и 2D задач о переносе заряда в транзисторах MESFET и MOSFET. На основе предложенных идей разработана универсальная и удобная технология конструирования вычислительных моделей, которая апробирована в приложениях при поиске решений двух задач.