Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx

В работе проведено исследование особенностей процесса кристаллизации, микроструктуры и фазового состава слоев SiCx (x = 0,03−1,4), синтезированных имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ в кремний (научный консультант - профессор Нусупов К.Х.); а также комплексное исследование оптических и электрофизических свойств, микроструктуры и фазового состава тонких пленок SnOx, синтезированных методами золь-гель технологии, магнетронного реактивного распыления и ионно-лучевого распыления, модифицированных термической и плазменной обработками. В широкозонных полупроводниковых пленках SiC и SnO2, обладающих высокой твердостью, химической стойкостью, высокой температурой плавления и способных работать при повышенных температурах, характерным свойством и общей проблемой является сегрегация одного из компонентов: С в слоях SiCx и Sn в слоях SnOx. Обработка в плазме тлеющего разряда пленок SiCx перед отжигом позволила существенно улучшить кристаллическую структуру пленок за счет распада прочных углеродных кластеров, а обработка в плазме пленок SnOx - значительно увеличить их газочувствительность и прозрачность за счет окисления и кластеризации в едином процессе.