Рентгеновская дифрактометрия напряженных наноструктур

В учебном пособии рассматривается комплексное применение стандартных и специально разработанных методик, реализуемых на дифрактометре Panalitical X’Pert Pro MRD, для выявления слабых структурных искажений в напряженных наноструктурах, оказывающих заметное влияние на их свойства. Приведена линейная зависимость между параметрами модулированной сверхрешетки и значением Тс в монокристаллах Bi-Sr-Cu-O, являющаяся следствием объединения в единую структуру двух различных структурных блоков. Описано несколько непрямых методик выявления повышенной неравновесной концентрации вакансий в квантовых ямах (КЯ) SiGe и послеростовой диффузии в квантовых точках Ge(Si). Для напряженных периодических структур с КЯ ZnCdSe или GaInAs приведены методики обнаружения диффузионного размытия нижних периодов структуры за время роста верхних периодов, а также частичного разложения состава. барьерных слоев при диффузии в них компонентов из КЯ. Работа предназначена для студентов и аспирантов, интересующихся проблемами материаловедения напряженных наноструктур вблизи предела их устойчивости. Она может быть полезна и практикующим материаловедам, занимающимся структурной диагностикой эпитаксиальных структур