Туннельно-рекомбинационные процессы в наноструктурированных элементах

Развивается авторский подход к механизмам токопереноса в наноструктуированных полупроводниковых активных элементах. Рассматривается обобщенная модель рекомбинационных процессов, частными случаями которой является рекомбинация Шокли – Рида, индуцированная рекомбинация, туннельная рекомбинация, прыжковый и баллистический перенос. На основе обобщенной модели рекомбинации предложены методы анализа вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур для определения параметров рекомбинационных центоров. Проводится апробация обобщенной модели и методов рекомбинационной спектроскопии на полупрводниковых структурах различного назначения: структуры на основе кремния, легированного золотом, структуры с квантовыми ямами на основе InGaN, фотоприемники на основе CuInS2, структуры с углеродными нанотрубками. Работа выполнена при поддержке Минобрнаки РФ в рамках Госзадания на НИР.