Радиационная стойкость светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP

В книге представлены результаты исследования влияния облучения быстрыми нейтронами и гамма-квантами на светотехнические и электрофизические характеристики светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами. Предложена многоступенчатая модель, позволяющая описать изменения мощности излучения светодиодов в результате воздействия ионизирующего излучения. Разработанная модель позволяет прогнозировать стойкость светодиодов к воздействию ионизирующего излучения. Книга предназначена для научных работников, аспирантов, разработчиков приборов и специалистов, занимающихся исследованиями радиационных повреждений в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Она может быть полезна студентам старших курсов ВУЗов, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов.